FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO_2

杨帅; 李养贤; 马巧云; 徐学文; 牛萍娟; 李永章; 牛胜利; 李洪涛

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FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO_2

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快中子辐照直拉硅 (CZ Si)经 4 0 0— 4 5 0℃热处理后 ,空位_双氧复合体 (VO2 )是其主要的缺陷 .在 30 0— 5 0 0℃热处理快中子辐照的CZ_Si后 ,IR光谱中有 919.6cm- 1 和 10 0 6cm- 1 两个吸收峰伴随VO2 (889cm- 1 )出现 ,这两个IR吸收峰是VO2 的一种亚稳态缺陷 (O V O)引起的 ,此缺陷态是由一个VO(A中心 )与次临近的一个间隙氧原子 (Oi)相互作用所形成的 .在 30 0℃延长退火时间或升高退火温度 ,都会使 (O V O)转变为稳态VO2 .辐照剂量在 10 1 9数量级 ,经 4 0 0— 4 5 0℃热处理所形成的缺陷主要为多空位型 ,而VO2 被抑制 .

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来源
《物理学报》 |2005年第5期|2256-2260|共5页
作者
杨帅; 李养贤; 马巧云; 徐学文; 牛萍娟; 李永章; 牛胜利; 李洪涛;
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作者单位

河北工业大学材料科学与工程学院;

天津300130;

天津工业大学信息与通信学院;

天津300160;

中国原子能科学研究院;

北京102413;

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正文语种 chi
中图分类中子物理;
关键词
快中子辐照; 直拉硅; 二氧化钒; 亚稳态缺陷;

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