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Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响

         

摘要

利用真空蒸发法在石英玻璃衬底上制备了ZnS薄膜,将能量80 keV,剂量1×1017cm-2的Ti离子注入到薄膜中,并将注入后的ZnS薄膜进行退火处理,退火温度500-700℃.利用X射线衍射(XRD)研究了薄膜结构的变化,利用光致发光(PL)和光吸收研究了薄膜光学性质的变化.XRD结果显示,衍射峰在500℃退火1 h后有一定程度的恢复;光吸收结果显示,离子注入后光吸收增强,随着退火温度的上升,光吸收逐渐降低,吸收边随着退火温度的提高发生蓝移;PL显示,薄膜发光强度随退火温度的上升而增强.

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