碳掺杂闭口硼氮纳米管场发射第一性原理研究

杨敏; 王六定; 陈国栋; 安博; 王益军; 刘光清

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碳掺杂闭口硼氮纳米管场发射第一性原理研究

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运用第一性原理研究了闭口硼氮纳米管(BNNT)顶层掺碳体系(C@BNNT)的电子场发射性能.结果表明:随外电场增强,C@BNNT电子结构变化显著,态密度(DOS)向低能方向移动;碳原子的局域态密度(LDOS)在费米能级附近明显增大;赝能隙、最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO)能隙减小;体系电荷移向帽端.DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分析一致表明,与BNNT相比,C@BNNT电子场发射性能显著改善,且C@BNmoreNT性能更优.

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来源
《物理学报》 |2009年第10期|7151-7155|共5页
作者
杨敏; 王六定; 陈国栋; 安博; 王益军; 刘光清;
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作者单位

西北工业大学应用物理系,西安,710072;

西北工业大学应用物理系,西安,710072;

西北工业大学应用物理系,西安,710072;

西北工业大学应用物理系,西安,710072;

西北工业大学应用物理系,西安,710072;

西北工业大学应用物理系,西安,710072;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
碳掺杂; 硼氮纳米管; 电子场发射; 第一性原理;

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