以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器

周梅; 赵德刚

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以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器

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提出了以弱p型(p--GaN)为有源区的p-n结构GaN紫外探测器.由于弱p型层的载流子浓度较低,很容易增加耗尽区的宽度,从而可以增加器件的量子效率.通过模拟计算,研究了金属与p--GaN层的肖特基接触势垒高度、p--GaN层厚度等参数对器件性能的影响.研究结果表明,降低金属与p--GaN层的接触势垒高度、适当减小p--GaN层厚度能够实现有源层方向单一的内建电场,从而提高器件的量子效率.要制备出具有良好性能的p-n结构紫外探测器,必须减小p--GaN层厚度,降低金属与p--GaN层的接触势垒高度.

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来源
《物理学报》 |2009年第10期|7255-7260|共6页
作者
周梅; 赵德刚;
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作者单位

中国农业大学理学院应用物理系,北京,100083;

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
弱p型GaN; 紫外探测器; 量子效率;

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