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GaAs中电子g因子的温度和能量依赖性的飞秒激光吸收量子拍研究

         

摘要

采用时间分辨椭圆偏振光抽运-探测光谱研究磁场作用下本征GaAs中电子自旋弛豫动力学,观察到吸收量子拍现象.这种吸收量子拍起源于电子自旋的拉莫尔进动,因而其拍频成为高精度测量电子g因子的一种新方法.利用这种新方法研究了本征GaAs中电子g因子的温度和能量依赖特性,发现g因子随电子的温度和能量增加而增加,但与k·p理论预测相差甚大.基于实验结果拟合,我们给出了一个g因子的温度和能量依赖的经验公式.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2006年第5期|2618-2622|共5页
  • 作者单位

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州市,510275;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州市,510275;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州市,510275;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州市,510275;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州市,510275;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州市,510275;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州市,510275;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州市,510275;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    椭圆偏振光抽运-探测光谱; 自旋量子拍; g因子; GaAs;

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