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不同参数溅射的ZnO薄膜硫化后的特性

         
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摘要

采用直流反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜,然后将它们在H2S气流中硫化得到ZnS薄膜.用x射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和UV-VIS透过光谱对ZnS薄膜样品进行了分析.结果表明,该ZnS薄膜为六角晶体结构,沿(002,晶面择优取向生长,其结晶状态和透过光谱与工作气压、Ar/O2流量比密切相关.当气压高于1 Pa时,得到厚度很小的ZnS薄膜;而气压低于1 Pa时,沉积的ZnO薄膜则不能全部反应生成ZnS.另外,当Ar/O2流量比低于4:1或高于4:1时,结晶状态都会变差.此外,由于ZnS薄膜具有高的沿(002,晶面择优取向的生长特性,使得退火或未退火ZnO薄膜硫化后的晶粒尺寸变化很小.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2005年第5期|2389-2393|共5页
  • 作者

    张仁刚; 王宝义; 张辉; 马创新; 魏龙;

  • 作者单位

    中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100049;

    中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100049;

    中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100049;

    中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100049;

    中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100049;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    ZnS薄膜; 磁控溅射; ZnO硫化; 太阳电池;

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