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Sr2 CeO4电荷迁移发光的光谱结构规律研究

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利用高温固相反应法分别合成了不同物相形成机理的Sr2CeO4,Sr2CeO4:Ca2+和Sr2CeO4:Ba2+样品,并对其光谱特性进行了研究.结果发现,对于由SrO和CeO2直接反应生成的Sr2CeO4(Ⅰ),激发主峰位于256nm左右;而对于SrCeO3和SrO反应生成的Sr2CeO4(Ⅱ),激发主峰位于279nm左右.在Sr2CeO4(Ⅰ)中掺入Ca2+,其激发光谱随着Ca2+离子浓度的增加逐渐接近于Sr2CeO4(Ⅱ)的激发光谱.激发主峰带应属于CeO6八面体终端Ce4+-O2-键的电荷迁移带.对于激发光谱中340nm左右的弱激发峰,其峰值波长不受形成机理及Ca2+掺杂的影响,只是其强度随着激发主峰的红移而增加,它可能属于CeO6八面体平面上Ce4+-O2-键的电荷迁移带.形成机理及Ca2+掺杂对发射光谱没有影响.Ca2+在Sr2CeO4(Ⅱ)与Ba2+在Sr2CeO4(Ⅰ)和(Ⅱ)中均难于替代Sr2+的位置.

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来源
《物理学报》 |2005年第5期|2369-2373|共5页
作者
符史流; 戴军; 丁球科; 赵韦人;
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作者单位

汕头大学物理系,汕头,515063;

汕头大学物理系,汕头,515063;

汕头大学物理系,汕头,515063;

汕头大学物理系,汕头,515063;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
Sr2CeO4; 光谱规律; 形成机理; 掺杂;

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