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Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象

         

摘要

在低温(1.5K-25K)和强磁场(0-10T)条件下,对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂A1GaN/GaN异质结构进行磁输运测量.在一定温度范围内观察到磁阻拍频现象.根据Sander等人和Raikh等人给出的磁阻振荡的具体表达式,拟合实验结果表明磁阻拍频是由第一子带SdH振荡和磁致子带间散射引起的磁阻振荡导致的.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2005年第5期|2247-2251|共5页
  • 作者单位

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    南京大学物理系,南京,210093;

    南京大学物理系,南京,210093;

    南京大学物理系,南京,210093;

    南京大学物理系,南京,210093;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    AlGaN/GaN异质结构; SdH振荡; 磁致子带间散射; 磁阻拍频;

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