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姚炜; 仇志军; 桂永胜; 郑泽伟; 吕捷; 唐宁; 沈波; 褚君浩;
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;
南京大学物理系,南京,210093;
AlGaN/GaN异质结构; SdH振荡; 磁致子带间散射; 磁阻拍频;
机译:偏振掺杂AlGaN / GaN穴位中的调制异质结电子气
机译:具有厚未掺杂GaN栅极层的常关型AlGaN / GaN / AlGaN双异质结FET
机译:Si Delta掺杂的m平面AlGaN / GaN异质结场效应晶体管
机译:掺杂SiC衬底上生长的AlGaN / GaN掺杂沟道异质结场效应晶体管中的衬底偏置效应
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:alN成核层诱导应变对si(111)衬底上alGaN / GaN异质结电性能的影响
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应
机译:包含AlGaN / GaN异质结和P掺杂金刚石门的增强型晶体管
机译:包含Algan / GAN异质结和P掺杂金刚石门的增强模式场效应晶体管
机译:由Algan / gan异质结和掺杂的P金刚石网格组成的富集晶体管。
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