掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善

黄伟; 张利春; 高玉芝; 金海岩

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掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善

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报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性.结果表明,经650-800℃快速热退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低,约为2.4(Ω/□).XRD分析表明薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成.由吉布斯自由能理论分析表明在Ni薄膜中掺人5.9%Mo对改善Ni硅化物热稳定性起到至关重要的作用.经650-800℃快速热退火后的Ni(Mo)Si/Si肖特基二极管电学特性良好,势垒高度ΦB为0.64-0.66eV,理想因子接近于1,更进一步证明掺少量的Mo能够改善NiSi薄膜的热稳定性.

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来源
《物理学报》 |2005年第5期|2252-2255|共4页
作者
黄伟; 张利春; 高玉芝; 金海岩;
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作者单位

北京大学微电子研究院,北京,100871;

北京大学微电子研究院,北京,100871;

北京大学微电子研究院,北京,100871;

北京大学微电子研究院,北京,100871;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
镍硅化物; 快速热退火; x射线衍射分析; 卢瑟福背散射;

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