表面氧化层效应对测量临界点跃迁的影响:分数维空间方法

陶科玉; 张曰理; 莫党

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表面氧化层效应对测量临界点跃迁的影响:分数维空间方法

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运用椭偏技术和分数维空间方法,对Si-SiO2模型考察了表面氧化层的存在对从实验测得的光谱中确定Si临界点跃迁参数的影响.计算结果表明,表面氧化层效应使Si的介电谱发生畸变,由此得到的临界点跃迁参数较真值会有一个偏移:振幅与维度值较小,寿命线宽较大,并且这种影响随氧化层厚度的增加而加强.但禁带能受表面氧化层效应的影响却很小,可忽略不计.

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来源
《物理学报》 |2004年第11期|3863-3867|共5页
作者
陶科玉; 张曰理; 莫党;
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作者单位

中山大学理工学院,光电材料与技术国家重点实验室,广州,510275;

中山大学理工学院,光电材料与技术国家重点实验室,广州,510275;

中山大学理工学院,光电材料与技术国家重点实验室,广州,510275;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
分数维空间方法; 椭偏技术; 表面氧化层效应; 临界点跃迁;

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