锡薄膜等温氧化研究

吴广明; 王珏; 汤学峰; 顾牡; 陈玲燕; 沈军

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采用电子束蒸发制备金属锡薄膜,将其在250-400℃温度范围内进行等温氧化,研究锡薄膜的热氧化动力学机制.采用台阶仪、扫描电子显微镜、俄歇电子能谱仪和X射线衍射仪等方法研究锡薄膜氧化过程中厚度、组分、结构等演变.实验结果表明,在250-400℃温度范围内,锡膜氧化后氧化层按抛物线规律生长;转变活化能为0.34eV;锡膜氧化受到氧扩散机制的控制.研究得到氧化层的生长首先从形成SnO相开始,随着氧化的深入,SnO相分解形成Sn3O4相,最后转变为SnO2相的热氧化机理.

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来源
《物理学报》 |2000年第5期|1015-1018|共4页
作者
吴广明; 王珏; 汤学峰; 顾牡; 陈玲燕; 沈军;
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作者单位

同济大学波耳固体物理研究所,上海,200092;

同济大学波耳固体物理研究所,上海,200092;

同济大学波耳固体物理研究所,上海,200092;

同济大学波耳固体物理研究所,上海,200092;

同济大学波耳固体物理研究所,上海,200092;

同济大学波耳固体物理研究所,上海,200092;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
锡薄膜; 等温氧化; 热氧化动力学;

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