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吴春武; 殷士端; 张敬平; 肖光明; 刘家瑞; 朱沛然;
不详;
应变异质结; 反常离子; 沟道效应;
机译:基极或集电极中带有应变InAs / InGaAs多量子阱吸收层的InP / InGaAs异质结光电晶体管的响应特性
机译:使用应变Inas / ingaas多量子阱吸收层实现的Inp / ingaas异质结光电晶体管在2μm以上的波长下工作
机译:以InGaAs / GaAsP应变补偿层为基础材料的基于GaAs的异质结双极晶体管的器件特性
机译:应变N-AlGaAs / InGaAs / N-AlGaAs选择性掺杂双异质结FET
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:反射差光谱法观察(001)InGaAs / GaAs单量子阱中的强各向异性禁跃及其在单轴应变下的行为
机译:INP / INGAASSB / INGAAS双异质结双极晶体管中发射极尺寸效应的研究
机译:分子束外延的alGaas / InGaas / Gaas应变层异质结双极晶体管
机译:在高应变InGaAs,InGaAsN,InGaAsNSb和/或GaAsNSb量子阱的生产中作为表面活性剂的原子氢
机译:具有(In)(Al)GaAsSb / InGaAs基极-集电极结构的异质结双极晶体管
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