深能级陷阱对FET的光瞬态特性、等效噪声电流和漏电流升高的影响

机译：漏电流深能级瞬态光谱法定量研究4H-SiC MOSFET中的近界面陷阱

机译：从金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的栅极泄漏电流（I_g RTN）中的随机电报噪声中提取陷阱能量和位置

机译：在具有多氧化物堆叠的高级MOSFET中，在建模栅极泄漏电流时，氧化物中存在陷阱态的影响

机译：HFET的一种新的温度噪声模型，其重点是栅极漏电流和等效噪声源的偏置依赖性研究

机译：基于氮化物的HFET中的栅极漏电流。

机译：栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱

机译：一种新的HFET温度噪声模型，特别强调栅极漏电流，并研究等效噪声源的偏置依赖性

机译：界面陷阱对InpmIsFET跨导和漏极电流的影响。 （重新公布新的可用性信息）

机译：FET的泄漏电流调节电路将通过并行测试FET的总泄漏电流与所需的泄漏电流进行比较，以调整偏置电压

机译：减少分配纸巾或其他分配器中的漏电流和电流峰值的影响的装置以及减小分配纸巾或其他分配器中的电流峰值的漏电流和影响的方法

机译：容量传感器不受开关晶体管的噪声，泄漏电流或馈通的影响