AlGaN/GaN高电子迁移率器件外部边缘电容的物理模型

刘乃漳; 张雪冰; 姚若河

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AlGaN/GaN高电子迁移率器件外部边缘电容的物理模型

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cqvip:AlGaN/GaN HEMT外部边缘电容Cofd是由栅极垂直侧壁与二维电子气水平壁之间的电场构成的等效电容.本文基于保角映射法对Cofd进行物理建模,考虑沟道长度调制效应,研究外部偏置、阈值电压漂移和温度变化对Cofd的影响:随着漏源偏压从零开始增加,Cofd先保持不变再开始衰减,其衰减速率随栅源偏压的增加而减缓;AlGaN势垒层中施主杂质浓度的减小和Al组分的减小都可引起阈值电压的正向漂移,正向阈值漂移会加强沟道长度调制效应对Cofd的影响,导致Cofd呈线性衰减.在大漏极偏压工作情况下,Cofd对器件工作温度的变化更加敏感.

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来源
《物理学报》 |2020年第7期|271-279|共9页
作者
刘乃漳; 张雪冰; 姚若河;
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作者单位

华南理工大学电子与信息学院广州 510640;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词
HEMT; 外部边缘电容; 沟道长度调制效应; 模型;

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