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梁琦; 王如志; 杨孟骐; 王长昊; 刘金伟;
北京工业大学材料科学与工程学院 新型功能材料教育部重点实验室 北京 100124;
GaN纳米线; 等离子增强化学气相沉积; 无催化剂; 生长机理;
机译:通过选择性区域生长同质外延法提高GaN纳米线的光学性能:衬底和纳米线尺寸的影响
机译:Si,GaN和蓝宝石衬底上ZnO纳米线的无催化剂热蒸发生长和光学性质
机译:GaN纳米线的金属有机化学气相沉积:从催化剂辅助生长到无催化剂生长,从自组装到选择性区域生长
机译:无催化剂GaN纳米线成核:温度依赖性纳米线取向和生长基质的相关性
机译:等离子辅助分子束外延法制备无催化剂的Ⅲ族氮化物纳米线:生长,表征和应用
机译:通过无金属催化剂工艺在硅衬底上生长外延硅纳米线
机译:使用在独立式GaN衬底上生长的外延n-GaN层实现高稳定性和低态密度Al2O3 / GaN界面
机译:无催化剂的GaN纳米线生长和光电特性
机译:通过使用能够将GaN纳米线的垂直生长诱导为固定厚度和生长长度的Au催化剂层来生长GaN纳米线的方法
机译:GaN纳米线无催化剂生长的脉冲生长及其在III族氮化物半导体块体材料中的应用
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