一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET紧凑型模型

著录项

• 来源
  《物理学报》 |2020年第17期|354-365|共12页
• 作者

  江逸洵; 乔明; 高文明; 何小东; 冯骏波; 张森; 张波;

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• 作者单位

  电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054;

  电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054;

  无锡华润上华科技有限公司 无锡 214028;

  无锡华润上华科技有限公司 无锡 214028;

  电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054;

  无锡华润上华科技有限公司 无锡 214028;

  电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类
• 关键词

  屏蔽栅沟槽; MOSFET; 紧凑型模型; BSIM4; Verilog-A;