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合成温度和N_2/O_2流量比对碳纤维衬底上生长的SnO_2纳米线形貌及场发射性能影响

         

摘要

采用化学气相沉积法系统研究了合成温度和N_2/O_2流量对生长在碳纤维衬底上的SnO_2纳米线形貌及场发射性能的影响规律.利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM),X射线衍射(XRD)及能谱仪(EDS)对产物细致表征,结果表明,SnO_2纳米线长径比随反应温度的升高而增大;随N_2/O_2流量比值的增大先增大后变小,场发射测试表明,合成温度780?C,N_2/O_2流量比为300:3时SnO_2纳米线阵列具有最佳的场发射性能,开启电场为1.03 V/μm,场强增加到1.68 V/μm时,发射电流密度达0.66 m A/cm^2,亮度约2300 cd/m^2.

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