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沈睿祥; 张鸿; 宋宏甲; 侯鹏飞; 李波; 廖敏; 郭红霞; 王金斌; 钟向丽;
湘潭大学材料科学与工程学院;
西北核技术研究所;
全耗尽绝缘体上硅; 铁电场效应晶体管; 单粒子效应; 计算机辅助设计;
机译:完整的基于表面电势的全耗尽绝缘体上硅氧化物金属氧化物半导体场效应晶体管模型,用于电路仿真
机译:用于可靠的深亚微米器件的新型阶梯掺杂全耗尽型绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:超薄全耗尽型绝缘体上硅反相,本征和累积模式金属氧化物半导体场效应晶体管的性能比较
机译:基于深亚微米全耗尽绝缘体上硅技术的n沟道晶体管单事件效应的3D TCAD仿真
机译:规模化和部分耗尽的绝缘体上硅场效应晶体管中噪声机制的仿真。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:铁电动随机存档回忆和铁电场效应晶体管的铁电铪氧化物
机译:全耗尽sOI(绝缘体上硅)mOsFET的短沟道效应
机译:垂直铁电场效应晶体管结构,包括一对垂直铁电场效应晶体管的结构,垂直铁电场效应晶体管串,以及横向相对的垂直铁电场效应晶体管对的垂直串
机译:垂直铁电场效应晶体管结构,包括一对垂直铁电场效应晶体管的结构,垂直的铁电场效应晶体管串,以及横向相对的垂直铁电场效应晶体管对的垂直串
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