多孔与平面硅电极界面的电化学行为

吕京美; 程璇

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研究了重掺杂n-型单晶硅(CSi)在氢氟酸体系中生成多孔硅(PSi)的电化学行为,根据线性极化曲线,选取不同的电流密度,采用恒电流阳极极化法,制备了一系列多孔硅层.利用扫描电子显微镜对其进行了表面和断面形貌的表征,通过线性扫描极化技术和计时电位法,比较了单晶硅电极和多孔硅电极的电化学行为,分析了多孔硅形成前后的塔菲尔曲线和计时电位曲线,给出了多孔硅形成过程中的重要电化学参数,如腐蚀电流、开路电位、塔菲尔斜率等.并对其进行深入分析,根据实验结果,提出了单晶硅电极/电解质界面和多孔硅电极/电解质界面的结构模型,并利用该模型讨论了两种电极界面的电化学特性.

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来源
《物理化学学报》 |2016年第3期|711-716|共6页
作者
吕京美; 程璇;
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作者单位

北京理工大学珠海学院化工与材料学院,广东珠海519088;

厦门大学材料学院材料科学与工程系,福建厦门361005;

福建省特种先进材料重点实验室,福建厦门361005;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电化学、电解、磁化学;
关键词
多孔硅; 硅电极界面; 腐蚀速率; 开路电位; 极化曲线; 界面电化学;

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