Mg、Zn掺杂AlN电子结构的第一性原理计算

张丽敏; 范广涵; 丁少锋

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Mg、Zn掺杂AlN电子结构的第一性原理计算

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摘要

采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,对Mg、Zn掺杂AlN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,对纤锌矿结构AlN晶体及AlN:Mg、AlN:Zn的结构、能带、结合能、电子态密度、集居数及差分电荷分布进行计算和分析.计算结果表明,AlN:Mg、AlN:Zn都能提供很多的空穴态,形成p型电导,并且Mg是较Zn更好的p型掺杂剂.

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来源
《物理化学学报》 |2007年第10期|1498-1502|共5页
作者
张丽敏; 范广涵; 丁少锋;
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作者单位

华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631;

华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631;

华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631;

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正文语种 chi
中图分类结构化学;半导体化学;
关键词
AlN; p型掺杂; 电子结构; 密度泛函理论; 第一性原理;

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