三甲基氯硅烷对纳米多孔二氧化硅薄膜的修饰

王娟; 张长瑞; 冯坚

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三甲基氯硅烷对纳米多孔二氧化硅薄膜的修饰

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以正硅酸乙酯为先驱体,采用溶胶凝胶法,结合旋转涂胶、超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.用三甲基氯硅烷(TMCS)对该SiO2薄膜进行了表面修饰,采用FTIR、TG-DTA、AFM和椭偏仪等方法研究了TMCS修饰前后薄膜的结构、形貌、厚度与介电常数等性能.超临界干燥后的SiO2薄膜含有Si-O-Si与Si-OR结构,呈疏水性.在空气中250℃以上热处理后SiO2薄膜因含有Si-OH而呈吸水性.TMCS修饰后的SiO2薄膜在温度不高于450℃时可保持其疏水性和多孔结构.SiO2薄膜经TMCS修饰后基本粒子和孔隙尺寸增大,孔隙率提高,介电常数可降低至2.5以下.

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来源
《物理化学学报》 |2004年第12期|1399-1403|共5页
作者
王娟; 张长瑞; 冯坚;
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作者单位

国防科学技术大学航天与材料工程学院,新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073;

国防科学技术大学航天与材料工程学院,新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073;

国防科学技术大学航天与材料工程学院,新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;硅Si;
关键词
纳米多孔SiO2薄膜,溶胶凝胶,三甲基氯硅烷,低介电常数(lowκ);

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