Cl/GaAs(111)表面近边X射线吸收精细结构的多重散射研究

沈少来; 唐景昌; 曹松; 汪雷

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Cl/GaAs(111)表面近边X射线吸收精细结构的多重散射研究

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利用多重散射团簇方法(MSC)计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS).阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源.根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为(0.213±0.005)nm.这个结果在0.005 nm的误差范围内将广延X射线吸收精细结构(EXFAS)实验谱的Fourier变换结果(0.217 nm)和Slab模型计算的结果(0.208 nm)合理地联系起来.此外,MSC计算求得衬底表面层Ga-As键长为(0.235±0.005)nm,证实Cl吸附引起GaAs(111)表面驰豫.

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来源
《物理化学学报》 |2003年第11期|1054-1058|共5页
作者
沈少来; 唐景昌; 曹松; 汪雷;
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作者单位

浙江大学物理系,杭州,310027;

浙江大学物理系,杭州,310027;

浙江大学硅材料科学国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学物理系,杭州,310027;

浙江大学硅材料科学国家重点实验室,杭州,310027;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构化学;
关键词
近边X射线吸收精细结构(NEXAFS),Cl/GaAs(111)吸附表面,多重散射团簇方法(MSC);

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