α-Fe2O3掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响

葛秀涛; 刘杏芹

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α-Fe2O3掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响

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用化学共沉淀法制备了α-Fe2O3掺杂的In2O3纳米晶微粉,研究了α-Fe2O3掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响.结果表明,α-Fe2O3和In2O3间可形成有限固溶体In2-xFexO3(0≤x≤0.40);Fe3+对In2O3晶格中In3+格位的部分取代,大大增强了阴阳离子间的结合力,导致材料中氧空位Vo×数骤降、自由电子的浓度变稀和电导下降.n(Fe3+):n(In3+)=5:5的共沉淀粉于800℃下灼烧4 h所得的α-Fe2O3掺杂In2O3传感器元件,对45 μmol@L-1C2H5OH的灵敏度达54.0,为相同浓度干扰气体汽油的8倍多.

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来源
《物理化学学报》 |2001年第10期|887-891|共5页
作者
葛秀涛; 刘杏芹;
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作者单位

滁州师范专科学校化学系;

中国科学技术大学材料科学与工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理化学（理论化学）、化学物理学;
关键词
共沉淀,In2-xFexO3,电导,C2H5OH,气敏性;

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