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李海英; 郁章玉;
不详;
铁配合物; 冠醚; 水; NCS; 电化学性质;
机译:[Sc(H2O)_4(NCS)_2]〜+和[Sc(H2O)_2(NCS)_4]与18-Crown-6的聚集体
机译:对[Fe(II)(BPP)2](NCS)22H2O(NCS)22H2O(NCS)22H2O观察到的高旋转<=>低自旋过渡行为的压力效应研究
机译:在自组装的NCS上固定的[CuII(1-ala)(Phen)(H2O)] +配合物对水的电催化氧化作用?修饰金电极
机译:在K2CO3 / H2O和K2CO3 / D2O溶液中进行等离子体电解过程中,在电极上/电极上形成的钾中41K同位素的过量能量和异常浓度
机译:氮结合的氧化f栅介电薄膜和钛基金属栅电极用于双栅应用。
机译:两种混合配体镧系元素-hydr配合物:Pr(NCS)3(pbh)2·H2O和Nd(NCS)(NO3)(pbh)2(H2O) NO3·2.33H2O pbh是N-(吡啶-2-基亚甲基)苯甲酰肼C13H11N3O
机译:利用气体扩散电极对H2O2电极/ Fenton反应器电化学降解雷尼替丁的研究气相扩散电极电化学反应器中H2O2电化学/ Fenton降解雷尼替丁的研究
机译:阴离子氢键复合物FH-CN-,FH-NC-,H2O-CN-和H2O-NC-的高水平ab initio研究
机译:在具有栅电极的晶体管上形成介电层的方法,包括:使介电层具有预定的内部支撑,并在栅电极上形成占位结构,以增加栅电极上的元件高度。
机译:半导体存储器件的栅极结构包括:栅极绝缘层上的栅电极;和形成在栅电极上的硬掩模,从而硬掩模和栅电极层之间的磁滞区域是特定的
机译:填充半导体晶片上的栅电极层中的开口包括:在晶片上生长栅氧化物层;在栅氧化物层上产生栅电极层;限定开口区域;以及进一步处理
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