首页> 中文期刊> 《物理化学学报》 >大面积范德瓦尔斯异质结阵列

大面积范德瓦尔斯异质结阵列

         

摘要

cqvip:近年来,二维(2D)半导体材料在现代电子和光电子学中展示出巨大的潜在应用,迅速成为凝聚态物理、晶体生长等科学领域以及半导体工业界的研究热点。与传统的硅基和III-V半导体相比,2D材料因其无悬空键的表面结构,原子薄的厚度和免疫短沟道效应等特性而被视为后摩尔时代半导体材料的领跑者1–4。开发基于2D材料的晶体管和集成电路是延续摩尔定律并实现下一代高速,低功耗数字电子产品的关键之一。要实现2D材料在工业应用中的集成化和功能化,大规模的异质结阵列化是一种非常可行的方案。

著录项

  • 来源
    《物理化学学报》 |2020年第11期|1-2|共2页
  • 作者

    何其远; 张华;

  • 作者单位

    香港城市大学材料科学与工程系 香港;

    香港城市大学化学系 香港;

    香港城市大学 国家贵金属材料工程技术研究中心香港分中心 香港;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号