新型锗硅基半导体二维原子晶体合成与带隙调控

机译：磁性纳米粒子掺杂二氧化硅基质制备的二维光子晶体的带隙性能

机译：原子薄的二维半导体的带隙工程

机译：高迁移率沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的体硅基板上应变硅-锗梯度薄层上的纯锗外延生长

机译：二维光子晶体带隙优化的新型二维遗传算法

机译：具有可调直接带隙的新型锡锗硅半导体的合成。

机译：二维碳化硅：新兴直接带隙半导体

机译：新型锗和硅基半导体二维原子晶体的合成与带隙调整

机译：新型直接带隙半导体的合成，表征，性能和性能;最终的评论。 2004年7月15日至2005年10月15日

机译：处理无机晶体材料的方法，改变半导体晶体的带隙的方法，半导体晶体材料以及制造无机晶体材料的装置

机译：具有大带隙发射极材料的双极晶体管-使用单晶硅作为发射极和集电极，并由硅锗cpd形成基极区。

机译：碳化硅：锗（SIC：GE）异质结双极晶体管;适用于高速，高功率应用的新型半导体晶体管