锌锡氮化物可提高长波铟镓氮发光二极管发光效率

机译：室温沉积铟锡氧化物，镓锌氧化物和铟锌锡氧化物阳极的有机发光二极管的器件性能

机译：通过由铟锡氧化物纳米棒的无序网络组成的透明电流扩散膜提高（铟）氮化镓发光二极管的输出功率

机译：氮掺杂对磁控溅射氮化镓发光二极管铟锡氧化物薄膜结构，光学和电学性能的影响

机译：使用独特铟 - 氧化铟锡纳米杆GaN / IngaN垂直喷射发光二极管效率提高

机译：镓铟氮化物的绿色发光二极管量子效率研究

机译：氧化铟锡和发光层厚度对钙钛矿发光二极管光输出耦合的影响

机译：MOCVD衍生的高透明，导电锌和锡掺杂氧化铟薄膜：前体合成，亚稳相膜生长和表征，以及作为聚合物发光二极管中的阳极的应用

机译：砷化镓长波长砷化铟量子点微腔的电致发光研究

机译：具有氮化镓电流阻挡层的基于铟镓氮化物的发光二极管及其制造方法

机译：通过用氧化锡膜涂覆氧化锌纳米表面来提高发光效率的氧化锌纳米磷酸盐，以及一种改善其发光效率的方法

机译：用于氮化铟镓型发光二极管的半导体芯片包括由氮化物材料制成的半导体层和n掺杂层，其中n掺杂剂比硅或元素周期表中特定族的元素重