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极冷半导体红外探测装置

         

摘要

<正> 图面的简单说明图面系本发明的实例表示。图1系致冷器本体的断面图。图2系整个装置的局部剖视。发明的详细说明在某种特定的半导体绝缘物(例如铬掺金)上加上电压并冷却之,随着冷却程度的不同,该半导体的红外线感受能力将发生变化,这是众所周知的。应用此原理的红外线探测装置,现在已应用在夜晚的特殊用途中。本发明提供了把上述装置中需冷却的半导体极度冷却的方法,而使该装置的红外线灵敏度显著地增加。

著录项

  • 来源
    《航空兵器》 |1966年第6期|7-9|共3页
  • 作者

    俞尧喜;

  • 作者单位
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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