首页> 中文期刊> 《航天电子对抗》 >X/Ku波段宽带GaN微波固态功放技术研究

X/Ku波段宽带GaN微波固态功放技术研究

         

摘要

GaN作为新一代半导体材料具有宽禁带、高击穿场强、高饱和电子漂移速率以及抗辐射能力强等优点成为近几年来的研究热点,随着GaN功率管性能的不断提高,以GaN为基础的微波功率器件的应用取得了很大的进步.根据电子对抗领域微波固态功放的特点,设计一款基于GaN功率器件的X/Ku波段20W宽带固态功放,并给出了测试结果.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号