功率器件IGBT氢缓冲层工艺及特性研究

机译：n缓冲层浓度不对称IGBT电流-电压特性退化的研究

机译：氢对带有SiO_2 / SiN_x / SiO_2缓冲层的非晶InGaZnO薄膜晶体管器件性能和稳定性特性的影响

机译：采用芯片嵌入技术的IGBT功率器件封装的电气特性和可靠性能

机译：CIGS光伏器件化学浴沉积工艺制备的基于铟基硫属元素化合物缓冲层的研究

机译：基于铜铟二硒化物的薄膜太阳能电池的替代缓冲层，器件建模和特性表征。

机译：Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上：电气和噪声特性

机译：根据设计和工艺参数的功率IGBT电特性分析

机译：新型功率半导体绝缘栅双极晶体管（IGBT）特性研究及其在汽车点火中的应用

机译：在基板中具有半导体元件的半导体器件-在半导体元件之间的区域中具有金属布线层，并且与布线层绝缘的评估器件用于研究电特性

机译：具有由氢供体和氦构成的具有场截止层的IGBT和二极管的半导体器件

机译：具有具有由氢供体和氦气形成的场截止层的IGBT和二极管的半导体器件