低功耗集成电路中IR Drop分析与工程实践

孙艳

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低功耗集成电路中IR Drop分析与工程实践

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随着集成电路工艺进入超深亚微米和纳米数量级,单位面积上的功耗消耗和电流密度明显上升,而这会导致超大规模集成电路中电源网络的IR Drop问题,对于超大规模集成电路进行IRDrop分析就成为必要.为了提高深亚微米工艺下低功耗芯片的性能和成品率,有必要对超大规模低功耗芯片的IR Drop成因进行研究,并运用EDA工具对其进行分析,通过IR Drop分析结果找出芯片电源网络的缺陷,并对IR Drop敏感区域进行相关干预,并获得预期的改善.

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来源
《集成电路应用》 |2017年第6期|69-73|共5页
作者
孙艳;
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作者单位

上海兆芯集成电路有限公司,上海201203;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
CMOS; 低功耗电路; 静态功耗; 动态功耗; IR Drop;

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