LV/HV兼容CMOS芯片与制程结构

潘桂忠

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LV/HV兼容CMOS技术,该技术能够实现低压5V与高压100～700 V(或更高)兼容的CMOS工艺.为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件.改变漂移区的长度,宽度,结深度以及掺杂浓度等可以得到高电压.采用MOS集成电路芯片结构设计、工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构.

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来源
《集成电路应用》 |2017年第7期|21-25|共5页
作者
潘桂忠;
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作者单位

上海贝岭微电子制造有限公司,上海200233;

中国航天电子技术研究院第七七一研究所,陕西710600;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类制造工艺;
关键词
集成电路制造工艺; 偏置栅结构; LV/HV兼容CMOS芯片结构; 制程平面; 剖面结构;

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