一种改善分栅快闪存储器擦除能力的方法

康军; 曹子贵

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研究分栅快闪存储器弱擦除失效的机理,提出一种利用湿法刻蚀来调整浮栅侧墙氧化物的高度和宽度的工艺方法,该方法可以有效的调整浮栅尖端的高度和获得最优化的浮栅尖端形状,从而实现最优化字线与浮栅的耦合比率及增强擦除时浮栅尖端附近的电场的目的.通过对不同湿法刻蚀条件下晶片良率/耐久特性进行对比,我们发现减少40%湿法刻蚀时间的晶片具有更低的弱擦除失效率和更大的耐久性工作窗口.

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来源
《集成电路应用》 |2016年第9期|32-35|共4页
作者
康军; 曹子贵;
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作者单位

上海华虹宏力半导体制造有限公司,上海 201203;

上海华虹宏力半导体制造有限公司,上海 201203;

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正文语种 chi
中图分类制造工艺;
关键词
弱擦除; 湿法刻蚀; 浮栅尖端; 浮栅侧墙;

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