明场缺陷检测机台的发展及其在32/45nm技术中的应用

雏晓军

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随着半导体技术的飞速发展，晶圆制造已经进入45nm时代，32nm技术已经开始研发和应用。与此同时，光刻技术（Lithography）也由水银弧光灯（HgArc Lamp）发展到短波长深紫外激光（193nm）。这样对缺陷检测设备提出更高要求。图1显示了光刻技术最近20年的发展变化趋势以及缺陷检测机台相对应的变化。

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来源
《集成电路应用》 |2009年第5期|47-48|共2页
作者
雏晓军;
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作者单位

应用材料中国公司;

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