首页> 中文期刊> 《集成电路应用》 >掌控半导体物理特性的变异

掌控半导体物理特性的变异

         

摘要

“一些电学参数的许容范围无法和它们的正常值那样共同缩减的问题已经凸现出来了,毫无疑问,这将严重地制约新工艺提升芯片的性能以及降低电源的消耗。”IBM研究中心和该公司的Sani Nassif和他的同事们说。事实上,互补型金属氧化物半导体(CMOS)电学特性的变异已经成为了一个必须被认真对待的主要设计问题。

著录项

  • 来源
    《集成电路应用》 |2008年第1期|35|共1页
  • 作者

  • 作者单位
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号