Robert J.Mears是用于宽带互联网的铒掺杂光纤放大器(EDFA)的发明者。他在寻找将光器件和波导结合到硅中的方法时.发现了一个有趣的结果:一种特殊的硅超晶格结构可以加速某一个方向上电子的定向运动(电流).而阻碍其它方向上的电流。该结果衍生出一种新的沟道替代技术,这种技术在某些方面与应变硅技术类似.即通过将杂质加入沟道中来修改硅的能带结构。在这种情况下.水平方向的电流(漏极电流)增大了.而垂直方向的泄漏电流却变小了。在保持甚至增大驱动电流的条件下,对于各种深亚微米制程,使用重构的沟道都能使NMOS的栅极泄漏电流降低60%.而PMOS则降低了80%。
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