MOCVD技术沉积氮化钛在超大规模集成电路中的应用

丁卫华

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氮化钛作为一种常见的阻挡层和粘合层材料在集成电路中广泛应用。在0．18微米及以下的逻辑集成电路电路制造中，MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）技术沉积氮化汰用做钨填充的粘合层和阻挡层是不可或缺的。随着超大规模集成电路向65纳米或者更高端发展以及铜制程在高端逻辑芯片制造的普及，钨填充技术在金属连线上的应用逐渐淡出，但是在逻辑电路硅化物接触层的应用上，MOCVD沉积氮化钛加上钨填充仍然是不可替代的技术。

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来源
《集成电路应用》 |2007年第10期|55-56|共2页
作者
丁卫华;
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作者单位

应用材料(中国)有限公司;

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