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熊媛; 林海严; 王风娇;
江苏师范大学 江苏师范大学圣理工学院-中俄学院 江苏 221116;
纳米线材料; 忆阻器; ZnO; 突触; 仿生;
机译:基于等离子体处理的ZnO纳米线忆阻器的神经形态计算突触学习规则的高效实现
机译:低于500 mV的CU / SiO_2 / W忆阻器的仿生突触可塑性和学习
机译:使用Si纳米线离子敏感场效应晶体管和铟镓锌氧化物忆阻器实现人工突触和神经元
机译:辅助氧化物忆阻器技术,可促进抑制性突触和兴奋性突触的潜在神经形态计算应用
机译:压电ZnO纳米线作为可调谐界面材料,用于光电应用
机译:增强基于ZnO的纳米器件在潮湿环境中的应用:O2 / H2等离子体抑制了无定形ZnO纳米线的自发反应
机译:通过氢退火处理实现ZnO纳米线忆阻器的多级电阻
机译:基于忆阻器的突触设计的神经形态计算系统的电路实现。
机译:有机纳米仿生忆阻器和忆阻器的制造及其在神经退行性疾病中生物标志物的双重传感中的应用
机译:有机纳米仿生忆阻器和忆阻器的制备及其在神经退行性疾病中生物标志物双重传感中的应用
机译:-具有核-壳结构的3/3/3/3 3 ZnSnO3 / ZnO纳米线形成ZnSnO3 / ZnO纳米线的方法和包括ZnSnO3 / ZnO纳米线的纳米发生器以及形成ZnSnO3纳米线的方法和包括ZnSnO3纳米线的纳米发生器
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