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基于GPS频段的单芯片低噪声放大器设计

         

摘要

阐述基于110nm工艺设计了一个应用于GPS波段的单片的低噪声放大器,该低噪声放大器采用了片外匹配电感从而降低芯片内部的面积,同时使用了平面螺旋电感作为负载电感,通过设计与仿真,该低噪声放大器在1.575GHz时,工作电流为6.6mA,增益为19.1dB,噪声系数为0.82dB,输入匹配与输出匹配均大于-10dBm,P1dB为-12dBm。

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