瞬时电离辐射剂量率对BiMOS运放输出扰动时间的影响

马强; 林东生; 范如玉; 陈伟; 杨善潮; 龚建成; 王桂珍; 齐超

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瞬时电离辐射剂量率对BiMOS运放输出扰动时间的影响

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对两种不同类型BiMOS运算放大器（JFET-Bi,PMOS-Bi）γ瞬时电离辐射效应进行研究。结果显示,BiMOS运放瞬时辐射扰动时间随剂量率变化呈现出一定的规律性,在剂量率较低情况下扰动时间随剂量率指数增长,剂量率较高时,扰动时间呈现出饱和特性。另外,输入信号不同,输出扰动时间随剂量率的变化也会有差异。

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来源
《原子能科学技术》 |2010年第s1期|545-549|共5页
作者
马强; 林东生; 范如玉; 陈伟; 杨善潮; 龚建成; 王桂珍; 齐超;
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作者单位

西北核技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 BICMOS（双极-MOS混合）集成电路;
关键词
BiMOS; 集成运算放大器; γ瞬时电离辐射; 扰动时间; 剂量率;

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