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王云波; 操节宝; 邹鹏; 吴清丽;
中国核动力研究设计院;
四川 成都 610005;
单晶硅; 等效2200m/s热中子注量率; 双箔活化法; 活化截面;
机译:箔活化法测量238U相对中子捕获率的方法
机译:任意位置宇宙射线中子注量率的双指数拟合函数
机译:单晶硅箔和玻璃箔的激光成型
机译:通过多箔活化法实现展开加速器基中子谱的人工神经网络
机译:中纬度地区热球的光度和干涉测量研究(使用光度计和干涉仪进行中纬度热层研究)
机译:双散射质子治疗系统组件对中子注量和中子吸收剂量的贡献
机译:用砾石,最大和脱谷型通过多箔活化法测定加速器基中子能量分布
机译:裂变箔 - Lexan探测器的中子注量和剂量测量
机译:单晶硅的制造方法,单晶硅制造装置以及单晶硅的电阻率分布的计算方法
机译:IGBT用硅单晶硅片,IGBT用硅单晶硅片的制造方法和IGBT用硅单晶硅片的电阻率确定方法
机译:IGBT用硅单晶硅片,IGBT用硅单晶硅片的制造方法以及确保IGBT用硅单晶硅片的电阻率的方法
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