CFETR水冷陶瓷增殖剂包层模块产氚率实验验证

祝庆军; 陈舞辉; 鲍杰; 赵子甲; 杜华; 黄凯; 刘松林

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CFETR水冷陶瓷增殖剂包层模块产氚率实验验证

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水冷陶瓷增殖剂(WCCB)包层作为中国聚变工程试验堆(CFETR)候选包层之一,承担着氚增殖、核热提取、屏蔽等重要涉核功能,其中子学设计的可靠性直接影响CFETR氚自持目标的实现。为验证中子学设计工具,即MCNP和FNEDL3.0数据库,在WCCB包层中子学设计中的可靠性,基于研制出的WCCB包层模块,在DT中子环境下开展中子学实验,对以产氚率(TPR)为代表的中子学参数进行了模拟值(C)和实验值(E)对比分析。结果表明,模块中轴线位置处TPR的C/E为0.97~1.08,而模块边缘位置处TPR的C/E为0.65~0.82;模块钛酸锂层边缘区^(197)Au(n,γ)198 Au反应率的C/E为0.72~0.90,表明模块边缘区存在非期望的散射中子,导致该区TPR模拟值和实验值偏离较大。

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来源
《原子能科学技术》|2022年第1期|127-135|共9页
作者
祝庆军; 陈舞辉; 鲍杰; 赵子甲; 杜华; 黄凯; 刘松林;
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作者单位

中国科学院等离子体物理研究所,安徽合肥230031;

中国原子能科学研究院核物理研究所,北京102413;

国防科学技术大学文理学院,湖南长沙410073;

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正文语种 chi
中图分类实验技术与设备;
关键词
CFETR; 水冷陶瓷增殖剂包层; 中子学实验; 产氚率;

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