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以半导体为基的薄膜驻极体电荷重心及电荷密度的测量

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Ｃ－Ｖ分析法是在半导体技术Ｃ－Ｖ分析法基础上于９０扯代发展起来测量膜厚小于２μｍ且具有ＭＯＳ结构的薄膜驻极体电荷重心及电荷密度的新方法。

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来源
《电声技术》 |1997年第8期|8-11|共4页
作者
夏钟福; 丁勇军;
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作者单位

同济大学;

同济大学;

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正文语种 CHI
中图分类 TM278.06;
关键词
平均电荷重心; 二氧化硅; 驻极体;

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