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一种新型磁随机存取存储器原理型器件问世

         

摘要

物理所韩秀峰课题组最近研制出一种新型磁随机存取存储(MRAM)原理型器件,这种存储器采用100纳米尺度下的磁矩闭合型纳米环状磁性隧道结作为存储单元,正负脉冲极化电流直接驱动比特层磁矩翻转的上作原理,解决了常规MRAM相对功耗高、仔储密度低等瓶颈问题。

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