Ni-Mo2C一维纳米线的制备及吸波性能研究

张少琼; 王磊

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Ni-Mo2C一维纳米线的制备及吸波性能研究

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通过水热法合成了NiMoO4一维线,许多纳米线聚在一起形成微米级的花状结构.通过在纳米线外层包覆盐酸多巴胺形成核壳结构来改变材料介电和磁导率参数,NiMoO4@PDA经烧结成为具有介电损耗和磁损耗介质吸波材料Ni-Mo2C,研究其吸波性能.3.0 mm时25 wt％Ni-Mo2C/wax显示出最大反射损耗,其值可达-54.4 dB,最大反射损耗出现在频率8.1 GHz.反射损耗小于-10 dB的频率带宽最大为3.4 GHz(11.4～14.8 GHz).

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来源
《化工管理》 |2019年第15期|14-15|共2页
作者
张少琼; 王磊;
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作者单位

广东省特种设备检测研究院珠海检测院;

广东珠海 519000;

北京理工大学珠海学院;

广东珠海 519000;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
Ni-Mo2C; 纳米线; 吸波性能;

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