聚喹啉/十八胺/稀土杂多阴离子杂化LB膜的制备、结构及电性质

王峥; 柳士忠; 杜祖亮; 胡振纲; 张洪杰

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聚喹啉/十八胺/稀土杂多阴离子杂化LB膜的制备、结构及电性质

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将聚喹啉(PQ)、十八胺(OA)和含稀土元素的1∶11钨系双系列杂多阴离子RE(PW11O39)11-2(RE = CeⅢ, EuⅢ, GdⅢ)通过LB技术掺杂, 成功地制备了三种PQ/OA/稀土杂多阴离子杂化LB膜, 通过π-A曲线、荧光、吸收光谱和原子力显微镜等手段对PQ/OA/稀土杂多阴离子杂化LB膜的成膜方式、性能、结构及形貌进行了表征; 扫描隧道显微镜研究表明, 将稀土杂多化合物掺杂到聚喹啉中可使聚喹啉的导电性明显增强.

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来源
《高等学校化学学报》 |2004年第3期|401-404|共4页
作者
王峥; 柳士忠; 杜祖亮; 胡振纲; 张洪杰;
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作者单位

中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理重点实验室,长春 130022;

湖北大学化学与材料科学学院,武汉 430062;

湖北大学化学与材料科学学院,武汉 430062;

河南大学特种功能材料重点实验室,开封 475001;

河南大学特种功能材料重点实验室,开封 475001;

中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理重点实验室,长春 130022;

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正文语种 chi
中图分类铬副族（ⅥB族金属元素）;氮杂苯（吡啶）族;
关键词
聚喹啉; 杂多阴离子; LB膜; 形貌; 电性质;

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