Cu12Sb4S13量子点的光照增强阻变性能

王志青; 陈彬彬; 沈杰; 陈文; 刘曰利; 龚少康; 周静

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Cu12Sb4S13量子点的光照增强阻变性能

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采用热注入法制备了粒径为7.9 nm的Cu12 Sb4 S13量子点(CAS QDs),并利用旋涂法在室温下制备了结构为FTO/CAS QDs/Au(其中FTO为导电玻璃)的阻变存储器(RRAM).在光照条件下,该三明治结构的RRAM呈现典型的双极性阻变开关特征,具有-0.38 V/0.42 V的低工作电压和105的高阻变开关比,并表现出优异的数据保持性和耐久性.在持续工作1.4×106 s和经过104次快速读取后,器件阻变性能变化率小于0.1％.在光照和电场共同作用下,S2-导电通道的形成与破坏和FTO/CAS QDs界面肖特基势垒高度的调制是FTO/CAS QDs/Au在高阻态与低阻态之间转变的原因.

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来源
《高等学校化学学报》 |2020年第8期|1908-1916|共9页
作者
王志青; 陈彬彬; 沈杰; 陈文; 刘曰利; 龚少康; 周静;
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作者单位

武汉理工大学材料科学与工程学院武汉 430070;

武汉理工大学材料科学与工程学院武汉 430070;

武汉理工大学材料科学与工程学院武汉 430070;

武汉理工大学材料科学与工程学院武汉 430070;

武汉理工大学材料科学与工程学院武汉 430070;

武汉理工大学材料科学与工程学院武汉 430070;

武汉理工大学材料科学与工程学院武汉 430070;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属元素及其化合物;
关键词
光照; 全无机Cu12Sb4S13量子点; 阻变性能; 阻变存储器;

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