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花旗松素在碳纳米管-离子液体修饰碳糊电极上的电催化氧化及其测定

         
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制备了碳纳米管(MWCNTs)和疏水性离子液体N-丁基吡啶六氟磷酸盐([BuPy] PF6)复合修饰碳糊电极(MWCNTs-[BuPy] PF6/CPE),利用循环伏安法研究了花旗松素在MWCNTs-[BuPy] PFJCPE上的电化学氧化行为.结果表明,花旗松素在修饰电极上出现一对灵敏、准可逆的氧化还原峰,氧化峰电位Epa =0.60 V,还原峰电位Epc=0.24 V,△Ep=0.46 V,氧化峰电流ipa=3.96 μA,还原峰电流i,=5.03 μA,ipa/ipc=0.79,表明MWCNTs-[BuPy] PF6/CPE对花旗松素具有良好的电催化氧化作用.用差分脉冲伏安法(DPV)测得花旗松素的氧化峰电流ipa与浓度c在1.2×10-5～4.0×10-2g· L-1范围内呈良好线性,检出限为2.2×10-6g·L-1.该法用于水红花子中花旗松素含量的测定,RSD为1.1％ ～1.5％,加标回收率为97.3％～ 101.3％.

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