盐酸雷尼替丁印迹聚合物膜电极的制备与应用

王伟; 郝江涛; 徐红; 冯丽霞; 修荣

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盐酸雷尼替丁印迹聚合物膜电极的制备与应用

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研究了盐酸雷尼替丁印迹聚合物离子选择性电极的制备、特性及应用.该电极在1.0×10~(-5)～1.0×10~(-2) mol /L范围内表现能斯特响应,斜率为-28.18mV/pC,检测下限为5.2×10_(-6)mol/L,原料回收率为96.8%～104.6%.该电极与先前报道的电极相比,具有更高的选择性、灵敏性和抗干扰性.利用该电极对雷尼替丁原料、胶囊含量进行了测定,结果与药典法一致.

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来源
《化学研究与应用》 |2010年第4期|440-443|共4页
作者
王伟; 郝江涛; 徐红; 冯丽霞; 修荣;
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作者单位

河北医科大学药学院,河北,石家庄,050017;

河北省深州市医院,河北,深州,053800;

河北省正定县人民医院,河北,正定,050800;

河北医科大学药学院,河北,石家庄,050017;

河北医科大学药学院,河北,石家庄,050017;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电化学分析法;
关键词
分子印迹聚合物; 盐酸雷尼替丁; 离子选择性电极; 聚氯乙烯膜;

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