化学水浴沉积法制备CdSe薄膜

杨锁龙; 袁红雁; 仲敬荣; 肖丹

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化学水浴沉积法制备CdSe薄膜

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CdSe是直接跃迁宽带隙的Ⅱ-Ⅵ族化合物拌导体，具有立方和六方两种结构，以及与太阳谱中可见光波段相适宜的带宽（〈1．7ev），是制作异质结太阳电池和光电化学太阳电池的重要原料。同时由于它具有较大的平均原子序数，对高能射线具有较高的阻止能力，同时禁带宽度较大，制作的探测器在室温工作时具有漏电小，稳定性高，可施加高电场（104V／cm以上），不易潮解等优异的性能，又是制备室温核辐射探测器的新材料之一。自从70年代初，T．P．Brody等人成功的研制成CdSe一肿有源矩阵选址的液晶和电致发光显示器，使CdSe在薄膜晶体管方面也呈现出广阔的应用前景。

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来源
《化学研究与应用》 |2008年第9期|1209-1211|共3页
作者
杨锁龙; 袁红雁; 仲敬荣; 肖丹;
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作者单位

中国工程物理研究院,四川,绵阳,621900;

四川大学化学工程学院,四川,成都,610065;

四川大学化学工程学院,四川,成都,610065;

中国工程物理研究院,四川,绵阳,621900;

四川大学化学工程学院,四川,成都,610065;

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正文语种 chi
中图分类无机合成化学;
关键词
CdSe薄膜; 化学水浴沉积;

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